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2018-01武汉新芯与紫光集团联手,中国 NANDFLASH 产业迈入新章

紫光集团预计于武汉成立长江储存科技,未来将纳入武汉新芯并统筹旗下一切内存发展项目,目前整体规划朝向NANDFlash产业发展。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理杨文得表示,紫光集团与武汉新芯联手,使中国内存产业发展进入新章,可望为后续中国布建自主性内存产业带来进展。中国业者近一[详细]


2018-01英特尔 3D NANDFLASH 产能再扩张!大连厂宣告投产

SSD等应用提升下,Nand Flash需求正快速成长,各家内存厂无不积极扩产,以扩展自身在NAND Flash的市占,半导体巨擘英特尔在2015年10月同样看好NAND Flash发展,宣布与大连市政府合作,将原本生产处理器芯片的厂房转型生产3D-NAND Flash芯片,而现在厂房改置完毕,在25日正式宣告投产。 据中国官方[详细]


2018-01东芝超车三星,拟于 Q3 生产 64 层 NANDFLASH

星电子的3DNAND Flash霸主宝座出现危机?三星是第一家开发出3DNAND Flash业者,技术遥遥领先,不过据传日厂东芝(Toshiba)砸重金研发后,情势一夕骤变,东芝即将超车三星,成为首家生产64层3D NAND Flash的厂商。 BusinessKorea 20日报导,2013年三星电子率先制[详细]


2018-01东芝冲 NANDFLASH 产量,拼增至 3 倍

Thomson Reuters、时事通信社报导,东芝(Toshiba)统筹内存事业的副社长成毛康雄于6日举行的投资人说明会上表示,将冲刺NAND型快闪内存(Flash Memory)产量,目标在2018年度将NAND Flash产量扩增至2015年度的3倍水准(以容量换算)。 关于已在2016年度开始量[详细]


2018-01受惠智能手机需求旺、三星西安厂短暂跳电,第三季 NANDFLASH 市况加温

TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报价显示,第三季NAND Flash供货吃紧的态势越发明显,TLC-Wafer与现货卡片价格自4月初以来已连续3个月份逐步走扬,而近一个月涨幅开始增加。 DRAMeXchange研究协理杨文得表示,NAND Flash原厂持续降低对于管道([详细]


2017-12东芝传生产 NIL 技术 NANDFLASH,成本降 1 成

日经新闻3日报导,全球第2大NAND型快闪内存(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba)将在2017年度采用被称为“纳米压印(Nano-imprint Lithography,NIL)”的新技术,生产使用于智能手机等产品的NAND Flash,藉此可让曝光工程(形成回路的工程)成本压低至采用现行技术的三[详细]


2017-12需求逐季回温,2016下半年 NANDFLASH 价格有望止跌回稳

全球市场研究机构TrendForce及科技新报TechNews在31日于台北国际会议中心4楼贵宾室举办移动设备关键零部件与通讯技术研讨会。本次研讨会演讲嘉宾包含全球领先快闪内存储存解决方案厂商闪迪(SanDisk),以及高通、恩智浦等国际大厂。DRAMeXchange研究协理杨文得也和与会者深度解析2016下半年NAND Flash市场发[详细]


2017-12NANDFLASH 下半年吹起缺货潮,模组厂乐

苹果新机下半年上市,也已开始针对Nand Flash、mobile RAM进行备货,推升需求提升,再加上供给已获得控制,内存模组厂商包括威刚、创见、宇瞻、广颖等可望迎内存产业环境好转,其中Nand Flash下半年更可望有缺货潮,推升价格可望有反弹空间。 以Nand Flash来看,苹果下半年将发布的iPhone 7,目前已开始备料[详细]


2017-12Q1 全球 NANDFLASH 品牌厂总营收 80.64 亿美元,连续两季衰退

第一季全球NAND Flash市况持续受供过于求影响,渠道颗粒合约价下滑约10%;智能手机、平板电脑与笔记本电脑出货大幅衰退也让eMMC、用户级固态硬盘跌价幅度扩大至13~18%。TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新报告显示,在平均销售单价下滑幅度明显高于位出货量成长的情况下,第一季NAND Flash品牌商营[详细]


2017-09封装厂当心,传三星新工法抢回苹果NANDFLASH订单

台湾封装厂小心!据传三星电子和SK海力士(SK Hynix)都在研发NAND Flash的“电磁波屏蔽”(EMI shielding)封装技术,三星更抢回iPhone的NAND Flash订单。 韩媒etnews 19日报导,三星曾是iPhone的NAND Flash供应商,两者合约在2012年告终,原因是三星不愿在NAND Flash封装过程中加入电磁波屏蔽。如今内存[详细]


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